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包装  标准卷带 零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列STripFET™ V

规格FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）56A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）9 毫欧 @ 7.5A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）6.5nC @ 4.5VVgs（值）+22V，-20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）950pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）62.5W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型

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规格FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）56A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）9 毫欧 @ 7.5A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）6.5nC @ 4.5VVgs（值）+22V，-20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）950pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）62.5W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型

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规格FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）56A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）9 毫欧 @ 7.5A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）6.5nC @ 4.5VVgs（值）+22V，-20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）950pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）62.5W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型

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规格FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）56A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）9 毫欧 @ 7.5A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）6.5nC @ 4.5VVgs（值）+22V，-20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）950pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）62.5W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型

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规格FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）56A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）9 毫欧 @ 7.5A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）6.5nC @ 4.5VVgs（值）+22V，-20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）950pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）62.5W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型

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