详细介绍：

FET 类型：N 

通道技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）50A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）6.6 毫欧 @ 17A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）9.2nC @ 4.5VVgs（值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1656pF @ 20V

FET 功能-功率耗散（值）3.1W（Ta），77W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型供应商器件封装8-VSONP（5x6）

封装/外壳8-PowerTDFN

包装  标准卷带 

零件状态：有源

类别：分立半导体

产品产品：族晶体管 - FET，MOSFET -单

系列：NexFET™

FET 类型N

通道技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）50A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）6.6 毫欧 @ 17A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）9.2nC @ 4.5VVgs（值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1656pF @ 20V

FET 功能-功率耗散（值）3.1W（Ta），77W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型供应商器件封装8-VSONP（5x6）

封装/外壳8-PowerTDFN

包装  标准卷带

零件状态：有源

类别：分立半导体

产品产品：族晶体管 - FET，MOSFET -单

系列：NexFET™

FET 类型N

通道技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）50A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）6.6 毫欧 @ 17A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）9.2nC @ 4.5VVgs（值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1656pF @ 20V

FET 功能-功率耗散（值）3.1W（Ta），77W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型供应商器件封装8-VSONP（5x6）

封装/外壳8-PowerTDFN

包装  标准卷带

零件状态：有源

类别：分立半导体

产品产品：族晶体管 - FET，MOSFET -单

系列：NexFET™

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