型号：K6X4008T1F-UF70

低功耗和低电压CMOS静态RAM特点•工艺技术：全CMOS•组织： 512K × 8•电源电压： 2.7 〜 3.6V•低数据保持

电压： 2V （值）•三态输出•封装类型： 32 - SOP- 525 ， 32 TSOP2-400F / R32-TSOP1-0813.4FCMOS SR

AM概述该K6X4008T1F家庭是由三星公司制造先进的全CMOS工艺技术。家庭支持不同的工作温度范围和具有各

种封装年龄类型的系统设计的用户灵活性。家属还支持低数据保持电压为电池备份操作低数据保持电流

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