本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：75 V
Id-连续直流电流：42 A
Rds上漏源导通电阻：26毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：74 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：110 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
类型：HEXFET功率MOSFET
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
下降时间：66 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：90 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：65 ns
典型起始延迟时间：16 ns
零件号别名：IRFR2407TRPBF SP001556854
单位重量：550毫克
特征

表面安装（IRFR2407）
直管（IRRF02407）
先进工艺技术
动态dv/dt额定值
快速切换
完全雪崩额定值
无铅环保

说明
来自国际整流器的第七代HEXFETO功率msfet采用先进的工艺技术，

实现了极低的导通电阻。这个好处。结合EXFET功率mosfet众所周

知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计师提供了一个非常高

效和可靠的设备，可用于多种应用。D-pak设计用于使用气相、红外

或波峰焊接技术的表面安装直引线版本（RFU系列）用于通孔安装应

用。在典型的表面贴装应用中，功耗水平可达到1.5瓦。

额定电流单位[D@，=C连续排水电流，Vos 12VID C To=100“C

连续排水电流，Vos@1yPulsed Dran Curent17CPc OT，=>5.C功耗

线性降额Fa°Cbae tb cource votage单脉冲Ava anche能量O1304 Alarche

电流①25次雪崩che EnergoPeak二极管恢复dict传感结和-55至+175t存储

温度范围。10秒30）（距拆卸扭矩6毫米，6-32 Dr M3 3crew10bn:1.1-m

热电阻sistanceParameterTyp.MaxUnitsJunctior的参数-环境温度

（安装在“方形FCE（FR-4或G-1D材料或推荐的封装和焊接技术）上时，

将PCB安装到环境温度。

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