本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管正极：N正极
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：60 V
Id-连续直流电流：12 A
Rds漏源导通电阻：7.4毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4.9 V
Qg-血浆甲醛：26 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N掺杂
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-对抗：14 S
下降时间：12 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：13 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：16 ns
典型起始延迟时间：8.7 ns
零件号别名：IRF7855TRPBF SP001555708
单位重量：506.600毫克
应用领域
•隔离式DC-DC转换器中桥拓扑中的主侧开关
•推挽式拓扑中的主侧开关，用于18-36Vin隔离式DC-DC转换器
•用于15Vout的二次侧同步整流开关
•适用于48V非隔离同步降压DC-DC应用
好处
•低栅极至漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容，包括有效的COSS来简化设计，（请参见应用笔记AN1001）
•完全表征的雪崩电压和电流

额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	60	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	12	A
ID @ TA = 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	8.7
IDM	Pulsed Drain Current G)	97
PD @TA = 25°C	Maximum Power Dissipation 8)	2.5	W
	Linear Derating Factor	0.02	W/°C
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt @	9.9	V/ns
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 150	°C

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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