AUIRF1404
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话： 0755-28892811
手机：13717085518
联系人：张凯
QQ： 
微信：
邮箱：szksy82@126.com
地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：40 V
Id-连续直流电流：202 A
Rds上漏源导通电阻：4毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：131 nC
工作温度：-55 C
Pd-功率耗散：333 W
通道模式：增强
资质：AEC-Q101
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
下降时间：33 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：190 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：46 ns
典型中断时间：17 ns
零件号别名：AUIRF1404 SP001522606
单位重量：6 g
特征
先进的平面技术
导通电阻低
动态dv / dt额定值
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩等级
重复雪崩允许Tjmax
无铅，符合RoHS
汽车合格*
描述
HEXFET®功率MOSFET的这种条带平面设计
是专门为汽车应用而设计的，它利用的
处理技术来实现每硅面积的低导通电阻。
这种优势与HEXFET®功率MOSFET众所周知
的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，
为设计人员提供了一种非常有效和可靠的器件，
可用于汽车和其他各种应用。
额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
202† |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
143 |
|
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) |
160 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current |
808 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
333 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
2.2 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚ |
620 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche Current |
See Fig.15,16, 12a, 12b |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche Energy |
mJ |
|
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dtƒ |
1.5 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10 lbf•in (1.1N•m) |
|
企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话： 0755-28892811
手机：13717085518
联系人：张凯
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邮箱：szksy82@126.com
地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
