本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SOT-23-3
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：12 V
Id-连续直流电流：4.3 A
Rds上漏源导通电阻：50毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：8 V
Qg-血浆甲醛：10 nC
Pd-功率耗散：1.3 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.1毫米
长度：2.9毫米
晶体管类型：1 P通道
宽度：1.3毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLML6401TRPBF SP001577044
单位重量：1.400克
特征

•超低导通电阻
•P沟道MOSFET
•SOT-23足迹
•薄型（<1.1mm）
•提供卷带包装
•快速切换
•1.8V门额定
•无铅
•符合RoHS，无卤素
描述
这些来自国际整流器公司（International Rectifier）的P沟道MSFET利用先进的处理技术来实现每硅面积的极低导通电阻。 这项优势与HEXFET®功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计相结合，为设计人员提供了一种用于电池和负载管理的极其高效和可靠的器件。
标准SOT-23封装中集成了散热增强的大焊盘引线框，以生产具有业界尺寸的HEXFET功率MSFET。 这种被称为Micro3™的封装非常适合印刷电路板空间非常宝贵的应用。 Micro3的薄型（<1.1mm）使它可以轻松地适应极薄的应用环境，例如便携式电子设备和PCMCIA卡。 的热阻和功耗。
额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain- Source Voltage	-12	V
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V	-4.3	A
ID @ TA= 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V	-3.4
IDM	Pulsed Drain Current CD	-34
PD @TA = 25°C	Power Dissipation	1.3	w
PD @TA = 70°C	Power Dissipation	0.8
	Linear Derating Factor	0.01	W/°C
EAS	Single Pulse Avalanche Energy©	33	mJ
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 8.0	V
TJ, TSTG	Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 150	°C

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-28892811

手机：13717085518

联系人：张凯

QQ：

微信：

邮箱：szksy82@126.com

地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼