本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：150 V
Id-连续直流电流：104 A
Rds上漏源导通电阻：9.3毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：5 V
Qg-血浆甲醛：77 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：380 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：97 S
下降时间：39 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：73 ns
MOSFET工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：41 ns
典型中断时间：18 ns
零件号别名：IRFB4115PBF SP001565902
单位重量：6 g
应用领域
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•改进的Gate，雪崩和动态dv / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
•符合RoHS，无卤素
额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	104	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	74
IDM	Pulsed Drain Current G)	420
PD @TC = 25°C	Maximum Power Dissipation	380	W
	Linear Derating Factor	2.5	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
dv/dt	Peak Diode Recovery CT	18	V/ns
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10lb"in (1.1N"m)

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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