供应商

Micron Technology

产品类别

Flash

说明

SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1G-bit 128M x 8 48-Pin TSOP-I Tray

目前，美光公司正在生产第二代10纳米级制造工艺(即1Y nm)，包括该公司的12 Gb LPDDR4X以及16 Gb DDR4存储器件。

该公司的下一代1Z nm目前已获得客户的认可(即，他们正在测试使用该工艺生产的各种芯片)，预计将在近期宣布，该技术将用于生产16 Gb LPDDR5存储器件以及DDR5存储器件。

继1Z nm节点之后，美光计划开始使用其1αnm制造技术以获得更高的产量，这意味着它正处于后期开发阶段。之后是1βnm制造工艺，该工艺也是处于早期开发阶段。

美光没有说明在1γnm工艺之后是否会直接进入EUV。该公司正在评估ASML的Twinscan NXE步进扫描功能以及使用极紫外光刻技术生产所需的其他设备，并正在评估这些工具何时可用于制造DRAM。

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