您现在的位置:维库电子市场网 > 元器件 > 场效应管MOSFET > MOSFET

IRF840PBF 场效应管 TO-220 N沟道 8A/500V IR MOS管 IRF840

IRF840PBF 场效应管 TO-220 N沟道 8A/500V IR MOS管 IRF840
IRF840PBF 场效应管 TO-220 N沟道 8A/500V IR MOS管 IRF840
  • 品牌:

    Vishay/威世通

  • 型号:

    IRF840PBF

  • 封装:

    TO-220

  • 批号:

    18+

  • FET类型:

    N沟道场效应管

  • 漏源电压(Vdss):

    500V

  • 漏极电流(Id):

    8A

  • 漏源导通电阻(RDS On):

    10V

  • 栅源电压(Vgs):

    4V

  • 栅极电荷(Qg):

    N/A

  • 反向恢复时间:

    N/A

  • 耗散功率:

    125

普通会员
  • 企业名:深圳市华永利电子科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83259667

    手机:13714622791

    联系人:林欣华

    QQ: QQ:640653208

    邮箱:huayongli2008@163.com

    地址:广东深圳深圳市福田区中航路9号鼎诚国际大厦1509号

商品信息

由于电子元器件产品价格浮动大,价格随汇率不同而不同,所以部分产品价格更改为隐藏

有需要的客户朋友们请直接联系旺旺客服,不便之处请谅解。

02


03

品牌LOGO图 (2)_副本

品牌LOGO图 (1)_副本

05_副本

 

 

 

产品详情

 
 The IRF840PBF is a 500V N-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
  • Dynamic dV/dt rating
  • Repetitive avalanche rated
  • 175°C Operating temperature
  • Easy to parallel
  • Simple drive requirement

 

  • 晶体管极性N沟道
  • 电流, Id 连续8A
  • 漏源电压, Vds500V
  • 在电阻RDS(上)0.85ohm
  • 电压 @ Rds测量10V
  • 阈值电压 Vgs4V
  • 功耗 Pd125W
  • 晶体管封装类型TO-220AB
  • 针脚数3
  • 工作温度高值150°C
  • MSL-
  • SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2014)

 

应用

电源管理
 
 

 

实物拍摄

 

 IRF840PBF_副本





 

 

 

 

 

 

 

 

 

 



04_副本

联系方式

企业名:深圳市华永利电子科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-83259667

手机:13714622791

联系人:林欣华

QQ: QQ:640653208

邮箱:huayongli2008@163.com

地址:广东深圳深圳市福田区中航路9号鼎诚国际大厦1509号

提示:您在维库电子市场网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责,请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。请广大采购商认准带有维库电子市场网认证的供应商进行采购!

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9