韦尔WILL半导体 ESD5431N-2/TR TVS静电保护二极管 ESD5431N 双向

ESD静电放电保护

这里的ES主要是三种模型所表述.

其中主要应用是HBM 和 MM,简单说,就是人或者设备对器件放电(静电),但是器件不能损坏.

典型的HBM CLASS 1C模型规定 一个充电1000V-2000V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电

MM模型要比人体模型能量大一些.电容是200pF,电压大概在200-400之间,不过没有串联电阻了.

典型的人体模型放电,峰值电流小于0.75A,时间150ns  典型的机器模型放电,峰值电流小于8A,时间5ns

典型的雷击浪涌(电力线入线处使用的TVS)峰值电流3000A,时间20us

原理是一样的,但根据功率和封装来分就不一样.

ESD和TVS比较的话,要看用在那些用途上,像ESD主要是用来防静电,防静电就要求电容值低,一般是1--3.5PF之间为.而TVS就做不到这一点,TVS的电容值比较高.

 

 

 

韦尔WILL半导体 ESD5431N-2/TR TVS静电保护二极管 ESD5431N 双向TVS二极管DFN1006-2L 

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