\t600V
12A(Ta)
10V
4V @ 1mA
企业名:深圳市宏捷佳电子科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-83214703
0755-22669259
手机:15919729761
13631618990
联系人:夏小姐 微信同号/李先生 微信同号
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邮箱:282235563@qq.COM
地址:广东深圳深圳市福田区华强北路上步工业区102栋620室
类别分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单制造商Toshiba Semiconductor and Storage系列π-MOSVII包装 管件 零件状态在售FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)12A(Ta)驱动电压( Rds On, Rds On)10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)38nC @ 10VVgs(值)±30V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)1800pF @ 25VFET 功能-功率耗散(值)45W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)550 毫欧 @ 6A,10V工作温度150°C(TJ)安装类型通孔供应商器件封装TO-220SIS封装/外壳TO-220-3 整包
企业名:深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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