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功率晶体管IPD60R1K4C6 INFINEON

供应功率晶体管IPD60R1K4C6  INFINEON
供应功率晶体管IPD60R1K4C6  INFINEON
  • 型号/规格:

    IPD60R1K4C6

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    TO252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特性:

    超大功率

  • 频率特性:

    超高频

  • 极性:

    N-Channel

发布询价信息

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VIP会员 第 12
  • 企业名:深圳市炀城实业有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83234587
    0755-83041939
    0755-83041939

    手机:18002539465
    17727480783
    13798466866

    联系人:蔡小姐/翁小姐/蔡先生

    QQ: QQ:923898125QQ:864862900QQ:177399507

    邮箱:1446267827@qq.com

    地址:广东深圳福田区中航鼎诚国际大厦1609

商品信息

制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:3.2 ARds On-漏源导通电阻:1.26 OhmsVgs th-栅源极阈值电压:2.5 VVgs - 栅极-源极电压:20 VQg-栅极电荷:9.4 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C配置:SinglePd-功率耗散:28.4 W通道模式:Enhancement商标名:CoolMOS封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:2.3 mm 长度:6.5 mm 系列:CoolMOS C6 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:6.22 mm 商标:Infineon Technologies 下降时间:20 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:7 ns 工厂包装数量:2500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:40 ns 典型接通延迟时间:8 ns 零件号别名:IPD60R1K4C6BTMA1 SP000799134 单位重量:4 g

功率晶体管是随着近几年移动通信系统对基站功率放大器和手机功率放大器的性能要求提高逐渐发展起来的新型射频功率器件。具有工作性能高、寄生电容小、易于集成等特点。特别适合在集成电路中作功率器件。

目录

1

特性

2

主要应用

3

工作模式

4

主要参数

特性

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1、通态特性:大注入下基区和集电区发生调制效应,通态压降很低

2、开关特性:关断过程中的电流集中现象:由于基区存在自偏压效应,在晶体管关断过程中使发射极边缘部分反偏,边缘关断而中心仍导通,于是出现电流集中现象

3、二次击穿特性,和所有继电器一样。值得说明的是当第一次雪崩击穿后,加在BJT上的能力超过临界值才产生二次击穿,也就是说二次击穿需要能量。

主要应用

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1、作为放大器,应用在电源串联调压电路,音频和超声波放大等领域

2、作为大功率半导体开关,电视机行输出电路,电机控制,不停电电源和汽车电子

3、GTR模块,应用于交流传动,逆变器和开关电源。

工作模式

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1、当BE结正偏、CB结反偏时,功率晶体管处于放大模式

2、当BE结合CB结均正偏时,功率晶体管处于饱和模式

3、当BE结零偏或反偏、CB结反偏时,功率晶体管处于截止模式。

功率晶体管的放大作用表现为:用较小的基极电流可以控制较大的集电极电流;或者将较小的功率按比例放大为较大的功率。

主要参数

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1、额定电压

2、电流定额:集电极最大电流Icm,集电极持续电流Ic

3、集电极最大耗散功率:Pcm(管壳为25℃时)

4、最高结温Tmj(一般为150℃)

5、开关时间:开通时间、存储时间、下降时间


联系方式

企业名:深圳市炀城实业有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-83234587
0755-83041939
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手机:18002539465
17727480783
13798466866

联系人:蔡小姐/翁小姐/蔡先生

QQ: QQ:923898125QQ:864862900QQ:177399507

邮箱:1446267827@qq.com

地址:广东深圳福田区中航鼎诚国际大厦1609

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