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三星存储K9F1208U0C-PCB0 SAMSUNG 全新原装K9F1208U0C-PCB0

金牌会员 第 8
  • 企业名:深圳市朗思特电子有限公司

    类型:经销商

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商品信息

 K9F1208U0C-PCB0概述

K9F1208U0C-PCB0,K9F1208U0B-PCB0是SAMSUNG公司生产的采用NAND技术的大容量、高可靠Flash存储器。该器件存储容量为64M×8位,除此之外还有2048K×8位的空闲存储区。该器件采用TSSOP48封装,工作电压2.7~3.6V。
K9F1208U0C-PCB0对528字节一页的写操作所需时间典型值是200μs,而对16K字节一块的擦除操作典型仅需2ms。8位I/O端口采用地址、数据和命令复用的方法。这样既可减少引脚数,还可使接口电路简洁。
概要地说明了K9F1208U0C-PCB0各个引脚的功能。
I/O0~I/O7 数据输入输出端,芯片未选中为高阻态

CLE 命令锁存使能

ALE地址锁存使能

CE 芯片选择控制

RE数据输出控制,有效时数据送到I/O总线

WE写I/O口控制,命令地址数据在上升沿锁

三星NANDFLASH:K9F1208UOC-PCB0 SAMSUNG专营商

 

 

相关资料

目前,有三代DDR存储器:

DDR1存储器,400 MHz最大速率时钟和64位(8字节)数据总线,现正逐渐过时,且不再批量生产。这一技术正采用新方式来实现RAM存储器的更快速度/数据速率。

DDR2技术正以400 MHz至800 MHz的数据速率和64位(8字节)数据总线代替DDR。RAM制造商目前正大量生产的DDR2存储器与上一代DDR存储器不能物理兼容。

DDR3技术拾起的正是DDR2遗忘的技术(800 Mbps带宽),并使速度达到1.6 Gbps。ELPIDA已宣布的一个芯片包含高达512兆的DDR3 SDRAM,8.75 ns(CL7延迟)的列存取时间以及1.6 GHz时1.6 Gbps的数据传输速率。与DDR2存储器相比,1.5V DDR3电压电平还更省电。更有趣的是,在更低的1.36V上,DDR3 RAM在具有CL6延迟(总CAS时间为8.4 ns)的1.333 GHz(DDR3-1333)上运行正常,这可与目前最快DDR2存储器的CAS时间相媲美。

图显示DDR2/DDR3存储器类型的片内终结器(ODT)与DDR1母板终结的比较,这也是为什么前两个类型与DDR1器件不能物理兼容的主要原因。

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