特点：

1.超低电阻
2.P沟道MOSFET
3.表面贴装
4.可用的磁带和卷轴
5.无铅
 
描述：
     这些P沟道MOSFET国际整流器采用先进的加工技术，以实现极低
的每硅阻力区。这样的好处设计师提供了一个非常有效的装置使用电
池和负载管理应用程序。凭借其定制的引线框架Micro6™包产生的HEXFET®
功率MOSFET的RDS（上）60%不到一个类似大小的SOT - 23。
这个包是理想的在印刷电路板空间的应用是在保险费。独特的散热设计和
RDS（ON）还原使电流处理了近300%的增长相比于SOT - 23。
 
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