IRFI4019HG-117P  产品咨询：


类别： 分立半导体产品


家庭： FET - 阵列


系列： -


包装：   管件 
 
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）


FET 功能： 标准


漏源极电压 (Vdss)： 150V


电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）： 8.7A


不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）： 95 毫欧 @ 5.2A，10V


不同 Id 时的 Vgs(th)（值）： 4.9V @ 50μA


不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： 20nC @ 10V


不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 810pF @ 25V


功率 - 值： 18W


安装类型： 通孔


封装/外壳： TO-220-5 全封装（成形引线）


供应商器件封装： TO-220-5 整包


IRFI4019HG-117P 特性：


1.集成网格状的包


2.减少了部分数量减半


3.促进更好的PCB布局


4.Class-D的关键参数进行了优化音频放大器的应用


5.低RDS(上)为提高效率


6.为更好的可靠性和低Qg Qsw提高效率


7.低Qrr更好的可靠性和降低EMI


8.可以交付到200 w /频道8Ω负载在网格状的配置放大器


9.无铅包


10.无卤


IRFI4019HG-117P 描述：


这个数字音频MosFET半桥是专门为D类音频放大器设计的应用程序。它包括两个功率MosFET开关


连接在网格状的配置。的使用过程实现低on-resistance /硅区域。 此外,门,body-diode


反向恢复门内部阻力进行了优化改进关键D类音频放大器性能等因素效率、可靠性和EMI。


这些共同构成网格状的一种高效、健壮和可靠的装置D类音频放大器的应用程序。

IRFI4019HG-117P  数据图：

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