S34ML08G201TFI000
S34ML08G201TFI000产品信息：


存储器容量: 8Gbit


闪存配置: 128M x 8位 时


钟频率:


 - 芯片接口类型: 并行



封装类型: TSOP



针脚数: 48引脚 


存取时间: 30μs 


电源电压值: 1.7V 


电源电压值: 1.95V 


工作温度值: -40°C 


工作温度值: 85°C 


封装: 每个 


产品范围: 3V SLC NAND Flash Memories 


MSL:  MSL 3 - 168小时


S34ML08G201TFI000一般描述



The Spansion ® S34ML08G2 8-Gb NAND is offered in 3.3 V CC with x8 I/O interface. This document contains information for the
S34ML08G2 device, which is a dual-die stack of two S34ML04G2 die. For detailed specifications, please refer to the discrete
die data sheet: S34ML01G2_04G2.


S34ML08G201TFI000特点：


密度



– 8 Gb (4 Gb x 2)




体系结构(每4 Gb设备)


-输入/输出总线宽度:8位


页大小:(2048 + 128)字节;128字节的空闲区域


块大小:64页(128 k + 8 k字节


——平面尺寸


每个飞机或- 2048块(256 + 16米)字节


——设备尺寸


512 - 2飞机每设备或兆字节


NAND闪存接口


——打开NAND闪存接口(ONFI)1.0兼容


多路复用——地址、数据和命令




电源电压


- 3.3 v装置:Vcc = 2.7 v ~ 3.6 v




安全




——可编程(OTP)区域




序列号(惟一的ID)




——硬件程序/消除权力过渡期间禁用




附加功能




——支持多翼机程序和擦除命令




-支持复制程序


——支持多翼机复制程序




——支持读缓存




电子签名




——制造商ID:01 h




工作温度




——工业:-40°C到85°C




性能




页面读/程序




——随机存取:30μs(Max)




顺序存取:25 ns(分钟)


——项目时间/多翼机项目时间:300μs(Typ)


块擦除/多翼机抹去


块擦除时间:3.5 ms(Typ)


可靠性


计划/消除周期(Typ)


每528个字节(4比特ECC)


- 10年数据保留(Typ)


——块0和1是有效,有效期为至少1000


与ECC program-erase周期


包选项


——无铅、低卤


——48-Pin TSOP 12 x 20 x 1.2毫米


11 - 63球BGA x 9 x 1毫米


S34ML08G201TFI000连接图

图1.1 48-Pin TSOP1设备接触的混合体(公元1 8 Gb)

注意:
1。这些针应该连接到电源或地面(指定)ONFI规范后,然而他们可能不是保税内部。


S34ML08G201TFI000方框图
图3.1功能块图- 8 Gb

图3.2框图- 1 CE(4 Gb x 8)

S34ML08G201TFI000寻址
表4.1解决循环图

注:
1。CAX =列地址。
2。PAX=页面地址。
3。PLA0 =平面地址0。
4。BAX=块地址。
5。与页面地址和飞机地址块地址连接=实际的页面地址,也被称为行地址。
6。A30 for 8 Gb(4×2—DDP Gb)(1CE)。


读状态增强
读状态增强用于检索前一个操作的状态值在以下情况下:
在并发操作multi-die堆栈。
当两个死亡堆积形成dual-die包(DDP),可以运行一个操作在
死,然后第二个骰子上激活不同的操作,例如:消除而读,读
程序等。
多翼机的操作在同一死去。


读ID
设备包含一个产品识别模式,由90 h写入命令寄存器,紧随其后
通过输入一个地址00 h。
注意:如果你想执行读取状态命令(0 x70)读ID序列后,你应该输入虚拟
命令(0 x00)之前阅读状态命令(0 x70)。
S34ML08G2设备,五读周期顺序输出制造商代码(01 h)和设备
代码,3日,4日和5日周期ID,分别。直到命令注册仍在阅读ID模式进一步的命令发布。

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