规格
产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 30 V
Id-连续漏极电流: - 760 mA
Rds On-漏源导通电阻: 600 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: - 1 V
Qg-栅极电荷: 3.4 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 16 ns
正向跨导 - 值: 0.44 S
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
Pd-功率耗散: 540 mW
产品: MOSFET Small Signal
上升时间: 8.2 ns
工厂包装数量: 6000
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 1.3 mm

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