规格参数数值
栅极电荷（Qg）@ Vgs 78nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds 1300pF @ 25V
功率 - 125W
FET型N沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）800V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C 4.1A（Tc）
驱动电压（Rds开启，Rds开启）10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @250μA
栅极电荷（Qg）（）@ Vgs 78nC @ 10V
Vgs（）±20V
输入电容（Ciss）（）@ Vds 1300pF @ 25V
FET功能
功率耗散（）125W（Tc）
Rds On（Max）@ Id，Vgs 3 Ohm @ 2.5A，10V
工作温度-55°C〜150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247-3
封装/外壳TO-247-3

企业名：深圳烨雄科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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