存储器 式 - 存储器 闪存 存储器类型 FLASH 存储容量 2M（256K x 8） 速度 90ns 接口 并联 电压 - 电源 4.5 V ~ 5.5 V 工作温度 -40°C ~ 85°C 封装/外壳 52-LCC（J 形引线） 供应商器件封装 52-PLCC（19.1x19.1） 特性概述■8位MCU■双库闪存存储器■系统内闪存可编程（ISP）外围–多2Mbit的初级闪存存储器（8个统一扇区，32K x8）–多256Kbit次级闪存存储器（4个统一扇区）–并发操作：擦除和写入时从一个存储器读取g另一个■高达256Kbit的电池反向SRAM■27个可重新配置的I/O端口■增强的JTAG串行端口■PLD，具有超3000个PLD门：CPLD和DPLD–CPLD，具有16个输出宏单元（OMC）和24个输入宏单元（IMC）–DPLD用户定义的内部芯片选择解码■27INDIVI双配置I/OPORT PINS可用于以下功能：–MCU I/O–PLD I/O–锁存MCU地址输出–特殊功能I/O.–16 I/O端口可以配置为开漏输出。■IN-SYSTEM PROGRAMMING(ISP)WITHJTAG–Built-in-in JTAG兼容串行端口allowsfull-.in-System可编程性-高效制造允许简单的产品测试和编程-使用具有PC■PAGE REGISTER-内部页寄存器的低成本FlashLINK电缆，该内页寄存器可用于将微控制器地址空间扩展256■可编程电源管理的因素

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