瓷介电容器
用氧化钛、钛酸钡、钛酸锶等材料制成陶瓷并以此介质制成的电容器称为陶瓷电容器,这种电容器广泛用于各种电子设备

瓷介电容器的分类一般分为三大类
1类：温度补偿电容器 温度补偿电容器主要由钛酸盐组成，具有较低的介电常数，低损耗、高稳定性、电容量随温度变化近似线性，这种电容器主要使用于谐振回路和其它要求高Q值和高稳定性的电路。
 使用温度范围：-30℃～85℃
 电容量：在测试频率(1MHz)、测试电压(1V)、测试温度(25℃&plu*n;2℃)下、不*过规定误差要求
 额定工作电压：25V、50V、100V、250V、500VDC
 耐压：2.5倍工作电压
 *缘电阻： 在25℃,额定工作电压下，充电60秒，IR≥10000MΩ

2类：高介质电常数电容器 高介电常数器主要以钛酸钡为基而制成，此类电容器容量大、体积小、损耗低，在电路中作隔直流，旁路耦合之用。
 使用温度范围：-30℃～ 85℃　/　 10℃～ 85℃
 电容量：在测试频率(1KHz) 、测试电压(1V)、 测试温度(25℃&plu*n;2℃)下、不*过规定误差要求
 额定工作电压：25V、50V、100V、250V、500VDC
 耐压：2.5倍工作电压
 *缘电阻： 在25℃，额定工作电压下，充电60秒，IR≥10000MΩ

3类：半导体电容器 圆片型半导体电容器具有较高介电常数，电容器体积更小，电容量更大，表面层和晶界层之分。
使用温度范围：-30℃～ 85℃
电容量： 在测试频率(1KHz) 、测试电压(1V)、 测试温度(25℃&plu*n;2℃)下、不*过规定误差要求
额定工作电压：16V、25V、50V、100VDC
耐压：2.5倍工作电压
*缘电阻：在25℃，额定工作电压下，充电60秒， 16V IR≥100MΩ
25V、50V、100V 　IR≥1000MΩ
*小包装数量：1000PCS/包