该HEXFET技术是关键，国际IR的先进线路的功率MOSFET晶体管。高效的几何形状和这个独特的加工“的”设计实现：极低的通态电阻tance结合高跨导。该HEXFET晶体管还具有所有的井MOSFET的既定优势，如电压年龄控制，非常快速的切换，方便parelleling的和温度的电气参数的稳定性。它们非常适合用于诸如开关荷兰国际集团的电源，电机控制，逆变器，斩波器个人，音频放大器和高能量脉冲电路。JANTX2N6798JANTXV2N6798REF ： MIL -PRF- 557分之V N沟道

产品特点：nnnnn重复雪崩额定值动态的dv / dt额定值密封式简单的驱动要求易于并联的

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