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全新进口原装IR模块IRAMS10UP60A/IRAMS10UP60A-2 华海专营IR全系列场效应管 可控硅IGBT模块

供应全新进口原装IR模块IRAMS10UP60A/IRAMS10UP60A-2 华海专营IR全系列场效应管 可控硅IGBT模块
供应全新进口原装IR模块IRAMS10UP60A/IRAMS10UP60A-2 华海专营IR全系列场效应管 可控硅IGBT模块
  • 型号/规格:

    IRAMS10UP60A

  • 品牌/商标:

    IR

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • PDF资料:

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普通会员
  • 企业名:华海科技发展有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83553378

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商品信息

IGBT介绍
IGBT的全名是(InsulatedGateBipolarTransistor)绝缘栅双极晶体管是MOS结构双极器件,属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。
多使用在工业用电机、民用小容量电机、变换器(逆变器)、照像机的频闪观测器、感应加热(InductionHeating)电饭锅等领域。根据封装的不同,IGBT大致分为两种类型,一种是模压树脂密封的三端单体封装型,从TO-3P到小型表面贴装都已形成系列。另一种是把IGBT与FWD (FleeWheelDiode)成对地(2或6组)封装起来的模块型,主要应用在工业上。模块的类型根据用途的不同,分为多种形状及封装方式,都已形成系列化。 
IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。MOSFET由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 高出很多。IGBT较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,与同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化 IGBT驱动器的原理图。
供应IR模块IRAMS10UP60A

IRAMS10UP60A参数

制造商:美国IR
产品种类:IGBT 模块
RoHS:否
产品IGBT Silicon Modules
配置Hex
VRRM=600V
IFAV=10A
trr= 40ns
封装 / 箱体EconoPIM2
栅极/发射极电压+/- 20 V
工作温度- 40 C
安装风格Screw
标准包装:80/盒
 

联系方式

企业名:华海科技发展有限公司

类型:贸易/代理/分销

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手机:13322923162

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