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晶体管SI2301CDS-T1-GE3原装热卖!

晶体管SI2301CDS-T1-GE3原装热卖!
晶体管SI2301CDS-T1-GE3原装热卖!
  • 型号/规格:

    SI2301CDS-T1-GE3

  • 品牌/商标:

    Vishay Siliconix

  • 封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 批号:

    19+

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 功率耗散(最大值):

    860mW(Ta),1.6W(Tc)

  • 安装类型:

    表面贴装型

发布询价信息

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金牌会员 第 9
  • 企业名:深圳市宏捷佳电子科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83201583

    手机:13717125871

    联系人:李先生(只做全新原装)

    QQ: QQ:2353549508

    邮箱:1335446230@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋618室

商品信息

制造商 Vishay Siliconix

制造商零件编号 SI2301CDS-T1-GE3

描述 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求

湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)

原厂标准交货期 14 周

详细描述 表面贴装型-P-通道-20V-3.1A(Tc)-860mW(Ta)-1.6W(Tc)-SOT-23-3(TO-236)

标准包装   3,000

包装   标准卷带  

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 TrenchFET®

其它名称 SI2301CDS-T1-GE3TR

SI2301CDST1GE3

规格

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 112 毫欧 @ 2.8A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V

Vgs(最大值) ±8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 405pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 860mW(Ta),1.6W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

优势供应:


 M51450G

 EL7536IYZ

 EL7536IYZ-T7

 SI2301CDS-T1-GE3

 EL7536IYZ(BFAAA)

 SN74AHC1G14DBVR

 SI2301CDS-T1-GE3

 SD1169

 SRFE1169

 AD620AN

 24LC641

 MRFA1600

 MRA1600-6

 MRF1600-2

 PH1600-30

 MRA1600-2

 PH1600-32

 PH1600-1.5

 MRA1600-30

 PH1600-6.5

 S08K31

 LVC16245A

 LVC16244A

 UF2010R

 TA7201S

 MRF136Y

 ST9917

 ATF10136

 SI2301CDS-T1-GE3

 M2557BM

 PA7674

 MGF1601

 D1217UK

 P9030MB

 MRF9030S

 MRF9030GR1

 MRF9030MR1

 MRF9030MBR1

 MRF9030GNR1


联系方式

企业名:深圳市宏捷佳电子科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-83201583

手机:13717125871

联系人:李先生(只做全新原装)

QQ: QQ:2353549508

邮箱:1335446230@qq.com

地址:广东深圳深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋618室

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