沟道
N gōu沟 dào道
Features
特征
tè特 zhēng征
• Designed expressly for Switch-Mode Power
•专为开关电源设计
• zhuān专 wèi为 kāi开 guān关 diàn电 yuán源 shè设 jì计
Supply and PFC (power factor correction)
电源和PFC(功率因数校正)
diàn电 yuán源 hé和 P F C ( gōng功 lǜ率 yīn因 shù数 jiào校 zhèng正 )
applications
应用
yìng应 yòng用
• Industry-benchmark switching losses improve
•行业基准开关损耗改善
• háng行 yè业 jī基 zhǔn准 kāi开 guān关 sǔn损 hào耗 gǎi改 shàn善
efficiency of all power supply topologies
所有电源拓扑的效率
suǒ所 yǒu有 diàn电 yuán源 tuò拓 pū扑 de的 xiào效 lǜ率
• 50% reduction of Eoff parameter
•减少50% Eoff参数
• jiǎn减 shǎo少 5 0 % E o f f cān参 shù数
• Low IGBT conduction losses
•Low IGBT传导损耗
• L o w I G B T chuán传 dǎo导 sǔn损 hào耗
• Latest-generation IGBT design and construction offers
•一代IGBT设计和施工报价
• zuì xīn新 yī一 dài代 I G B T shè设 jì计 hé和 shī施 gōng工 bào报 jià价
tighter parameters distribution, exceptional reliability
参数分布更为严格,可靠性特别高
cān参 shù数 fēn分 bù布 gèng更 wéi为 yán严 gé格 , kě可 kào靠 xìng性 tè特 bié别 gāo高
• Lower switching losses allow more cost-effective
•降低开关损耗使成本效益更高
• jiàng降 dī低 kāi开 guān关 sǔn损 hào耗 shǐ使 chéng成 běn本 xiào效 yì益 gèng更 gāo高
operation than power MOSFETs up to 150 kHz
操作比功率MOSFET高达150千赫
cāo操 zuò作 bǐ比 gōng功 lǜ率 M O S F E T gāo高 dá达 1 5 0 qiān千 hè赫
("hard switched" mode)
(硬切换模式)
( yìng硬 qiē切 huàn换 mó模 shì式 )
• Of particular benefit to single-ended converters and
•特别有益于单端转换器和
• tè特 bié别 yǒu有 yì益 yú于 dān单 duān端 zhuǎn转 huàn换 qì器 hé和
boost PFC topologies 150W and higher
Boost PFC拓扑150W和高
B o o s t P F C tuò拓 pū扑 1 5 0 W hé和 gāo高
• Low conduction losses and minimal minority-carrier
•低传导损失和少数少数载流子
• dī低 chuán传 dǎo导 sǔn损 shī失 hé和 shǎo少 shù数 shǎo少 shù数 zǎi载 liú流 zǐ子
recombination make these an excellent option for
重组使这些成为一个很好的选择。
chóng重 zǔ组 shǐ使 zhè这 xiē些 chéng成 wéi为 yī一 gè个 hěn很 hǎo好 de的 xuǎn选 zé择 。
resonant mode switching as well (up to >>300 kHz
谐振模式开关以及(高达300千赫)