制造商: Infineon 
产品种类: MOSFET 
RoHS: 符合RoHS 详细信息 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: TO-252-3 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 250 V 
Id-连续漏极电流: 17 A 
Rds On-漏源导通电阻: 85 mOhms 
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V 
Qg-栅极电荷: 14 nC 
工作温度: + 175 C 
技术: Si 
封装: Reel 
通道模式: Enhancement 
商标: Infineon Technologies 
配置: Single 
下降时间: 1.2 ns 
工作温度: - 55 C 
Pd-功率耗散: 107 W 
上升时间: 3.7 ns 
系列: IPB17N25 
工厂包装数量: 1000 
晶体管类型: 1 N-Channel 
典型关闭延迟时间: 7.5 ns 
典型接通延迟时间: 4.4 ns 
单位重量: 4 g

企业名：深圳市金嘉锐电子有限公司

类型：生产制造商

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