产品种类:  MOSFET   
制造商:  Infineon   
RoHS:   详细信息  
技术:  Si   
安装风格:  Through Hole   
封装 / 箱体:  TO-220-3   
通道数量:  1 Channel   
晶体管极性:  N-Channel   
Vds-漏源极击穿电压:  75 V   
Id-连续漏极电流:  82 A   
Rds On-漏源导通电阻:  13 mOhms   
Vgs - 栅极-源极电压:  20 V   
Qg-栅极电荷:  106.7 nC   
封装:  Tube   
商标:  Infineon Technologies  
高度:  15.65 mm  
长度:  10 mm  
Pd-功率耗散:  200 W  
工厂包装数量:  50  
晶体管类型:  1 N-Channel  
宽度:  4.4 mm

企业名：深圳市金嘉锐电子有限公司

类型：生产制造商

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