AO4822A场效应管采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 该器件适合用作负载开关或PWM应用。

    AO4822A场效应管参数：

    制造商零件编号：AO4822A

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

    FET 类型：2 个 N 沟道（双）

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss)：30V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）：19 毫欧 @ 8A，10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（值）：2.4V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：888pF @ 15V

    功率 - 值：2W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    使用注意事项：

    （1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，漏源电压、栅源电压和电流等参数的极限值。

    （2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。

    （3）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸5毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。

    

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