AOD403场效应管规格：

    FET 类型：P 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：30V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：15A（Ta），70A（Tc）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）：10V，20V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：6 毫欧 @ 20A，20V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：3.5V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：120nC @ 10V

    Vgs（值）：±25V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：5300pF @ 15V

    FET 功能：-

    功率耗散（值）：2.5W（Ta），90W（Tc）

    工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

    封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

    功率MOSFET的结构和工作原理：

    功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。

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