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原装现货 SI7806ADN-T1-GE3 VISHAY 晶体管

原装现货 SI7806ADN-T1-GE3	VISHAY  	晶体管
原装现货 SI7806ADN-T1-GE3	VISHAY  	晶体管
  • 型号/规格:

    SI7806ADN-T1-GE3

  • 品牌/商标:

    \tVISHAY

  • 类别:

    分立半导体产品

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 封装:

    PowerPAK® 1212-8

  • 产品族:

    \t晶体管

普通会员
  • 企业名:晨兴富利(深圳)电子科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-23004145
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    手机:13715229763
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产品分类
商品信息 更新时间:2017-11-05

威世接下来的半导体公司收购发生在2001年,购买了英飞凌科技(Infineon Technologies)公司的红外线元件业务。跟着在2001年收购了全球二极管和整理器领先的制造商通用半导体(General Semiconductor)。英飞凌(Infineon)的红外元件部分和通用半导体(General Semiconductor)的业务补充增强了威世现有的特洛芬肯(Telefunken)和硅尼克斯(Siliconix)的业务能力,并推进威世步入了分立半导体制造商的行列。

型号:

SI7806ADN-T1-GE3
厂商:
VISHAY
一般信息
数据列表 SI7806ADN;
标准包装   3,000
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 TrenchFET®

规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 20nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) -
Vgs(值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(值) 1.5W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 11 毫欧 @ 14A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8

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企业名:晨兴富利(深圳)电子科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

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手机:13715229763
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