制造商

Vishay Siliconix

制造商零件编号

SI7882DP-T1-E3

描述 MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 停產

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.4V @ 250μA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V

Vgs（值） ±8V

FET 功能 -

功率耗散（值） 1.9W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 5.5 毫欧 @ 17A，4.5V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PowerPAK® SO-8

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