SI2302CDS-T1-GE3
VISHAY
分立半导体产品
TO-236-3
-55°C ~ 150°C
企业名:晨兴富利(深圳)电子科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-23004145
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手机:13715229763
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联系人:Amy 周/Lisa李
邮箱:1162981182@qq.com
地址:广东深圳龙华新区民治街道万众生活村润茂大厦B座
SI2302CDS-T1-GE3 产品信息:
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI2302CDS-T1-GE3
描述
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
一般信息
数据列表 SI2302CDS;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 TrenchFET®
其它名称 SI2302CDS-T1-GE3TR
SI2302CDST1GE3
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 57 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 850mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 5.5nC @ 4.5V
Vgs(值) ±8V
FET 功能 -
功率耗散(值) 710mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
自营仓库:
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