MMBTA55LT1

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商品信息 更新时间：2015-05-12

规格书	MMBTA55LT1
文档	Multiple Devices 03/Jan/2008
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知	LTB Notification 03/Jan/2008
标准包装	10
晶体管类型	PNP
- 集电极电流（Ic）（）	500mA
电压 - 集电极发射极击穿（）	60V
Vce饱和（）@ IB，IC	250mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止（）	100nA
直流电流增益（HFE）（值）@ IC，VCE	100 @ 100mA, 1V
功率 -	225mW
频率转换	50MHz
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装	SOT-23-3 (TO-236)
包装材料	Cut Tape (CT)
下的Vce饱和度（） Ib，Ic条件	250mV @ 10mA, 100mA
供应商设备封装	SOT-23-3 (TO-236)
其他名称	MMBTA55LT1OSCT
功率 -	225mW
安装类型	Surface Mount
封装	Cut Tape (CT)
封装/外壳	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
晶体管类型	PNP
标准包装	10
电压 - 集电极发射极击穿（）	60V
电流 - 集电极截止（）	100nA
电流 - 集电极（ Ic）（）	500mA
直流电流增益（ hFE）（值） Ic，Vce时	100 @ 100mA, 1V
频率 - 转换	50MHz