KSE350STU详细参数：

制造商:ON Semiconductor
产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-126-3
晶体管极性:PNP
配置:Single
集电极—发射极电压 VCEO:- 300 V
集电极—基极电压 VCBO:- 300 V
发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V
直流电集电极电流:0.5 A
工作温度:- 65 C
工作温度:+ 150 C
系列:KSE350
直流电流增益 hFE
值:240
高度:11 mm
长度:8 mm
宽度:3.25 mm
商标:ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流:- 0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:30
Pd-功率耗散:20 W
产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:1920
子类别:Transistors
零件号别名:KSE350STU_NL
单位重量:761 mg
KSE350STU实物拍摄：

KSE350STU外包装：
深圳市宏利信电子经营各类主动元件( IC集成电路，存储芯片，二、三极管等)和被动元件(电容，电阻，电感等)及机电元件(连接器，开关器件)等，提供全方位的一站式电子元件供应。公司自成立以来一直凭“质量、价格便宜、品质保证、服务周到、交货快捷” 的宗旨赢得各电子厂家及商家的信赖与支持，业务蒸蒸日上。欢迎全国各地客户咨询业务，愿我们能够建立长期、友好的合作关系、携手并进，共同发展！
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