肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

品牌/商标	MIC	型号/规格	IN5819
产品类型	肖特基管	结构	点接触型
材料	硅(Si)	封装形式	直插型
封装材料	树脂封装	功率特性	小功率
频率特性	低频	发光颜色	电压控制
LED封装	无色透明封装(T)	出光面特征	圆灯
发光强度角分布	标准型	正向直流电流IF	1（A）
反向电压	40（V）

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