美国万代MOS管采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至1.8V，同时保持12V VGS（MAX）额定值。 它受到ESD保护。 标准产品AO8808A不含铅（符合ROHS和Sony 259规格）。

    美国万代MOS管规格：

    制造商:Alpha&OmegaSemiconductorInc.

    标准包装:3,000

    包装:标准卷带

    零件状态:在售

    类别:分立半导体产品

    产品族:晶体管-FET，MOSFET-阵列

    FET类型:2个N沟道（双）

    FET功能:逻辑电平门

    漏源电压（Vdss）:20V

    不同Id，Vgs时的RdsOn（值）:14毫欧@8A，10V

    不同Id时的Vgs（th）（值）:1V@250?A

    不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（值）:17.9nC@4.5V

    不同Vds时的输入电容（Ciss）（值）:1810pF@10V

    功率-值:1.4W

    工作温度:-55°C~150°C（TJ）

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）

    供应商器件封装:8-TSSOP

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