Infineon FF75R12RT4 IGBT模块 1200V 75A

产品种类: IGBT模块

配置: Dual

集电极—发射极电压 Vceo: 1200 V

集电极—射极饱和电压: 2.15 V

在25℃的连续集电极电流: 75 A

栅极—射极漏泄电流: 100 nA

Pd-功率耗散: 395 W

栅极/发射极电压: 20 V

工作温度: - 40℃——+ 150℃

FF75R12RT4 IGBT模块具有低开关损耗，低饱和电压的特点，广泛应用于高功率转换器，

马达驱动器和UPS系统。

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