Am29F400B是一个4 Mbit,5.0 volt-only Flashmemory组织为524,288字节或262144字。该设备有44针和48针的tsoppackage。该设备也可用于已知的GoodDie(KGD)表单。有关更多信息，请参阅publica - tion数字21258。字宽数据(x16)外观dq15 - dq0;byte- wide(x8)数据显示ondq7 - dq0。该装置是设计为系统内的标准系统5.0伏特VCCsupply。一个12.0V VPPis不需要写或擦除操作。该设备也可以在标准的eprom程序员中进行编程。这个设备是使用AMD的0.32μmprocess制造技术,并提供的所有特性和ben-efits Am29F400,这是制造using0.5μm过程技术。标准设备提供45、50、55、70、90和120个ns的访问时间，允许高速微程序系统在没有等待状态的情况下运行。为了消除总线争用，设备有单独的芯片启用(CE #)，编写启用(我们#)和输出启用(OE #)控件。该设备只需要asingle 5.0伏电源，既可读也可写函数。为程序和擦除操作提供了内部生成和调节的电压。该设备完全与jedec单电源闪光标准兼容。com- mands被写入命令寄存器，使用标准微处理器写入时间。寄存器con-帐篷作为输入到控制删除和编程电路的内部状态机。Writecycles也有内部的门闩地址和数据需要编程和擦除操作。从设备中读取数据类似于从其他闪存或EPROM设备读取数据。设备编程发生在执行程序命令序列。这发起theEmbeddedProgramalgorithm-an内部算法auto-matically乘以脉冲宽度和verifiesproper细胞边缘