晶体管类型NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（值）4A电压 - 集射极击穿（值）80V不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（值）4V @ 20mA，5A电流 - 集电极截止（值）500μA不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（值）4000 @ 3A，3V功率 - 值2W频率 - 跃迁20MHz工作温度150°C（TJ）安装类型通孔封装/外壳TO-220-3 整包供应商器件封装TO-220F-A1晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。 三极管晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同， 三极管晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。 三极管晶体管2016年，劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，将现有的精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm，完成了计算技术界的一大突破。严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、 三极管晶体管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）;场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随耦器），。

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