半桥电路包括用于驱动各个下部晶体管(T1)和上部晶体管(T2)的低端驱动模块(110)和高端驱动模块(210)。每个驱动模块(110，210)是电荷俘获电路，其中低端驱动模块(110)用电容性负载(C)上的电荷驱动低端晶体管(T1)，以及高端驱动模块(210)在它被高电压源驱动时交替地重新充电该电容性负载(C)。半桥驱动器每个电荷俘获电路(110，210)还包括二极管(D1，D2)，它阻止在被驱动的晶体管(T1，T2)的栅极上电荷的非故意损失，以及包括齐纳二极管(Z1，Z2)，它把栅极电压箝位在安全电平。这样，半桥电路被有效地驱动，而不需要辅助电源。常用T2表示，其具有一源极被连接到输出端(120)，以及具有一漏极被连接到轨(130)用于施加高直流电压;折叠下部晶体管常用T1表示，其具有一源极被连接到轨(140)用于施加低直流电压，以及具有一漏极被连接到输出端(120);

上部晶体管控制电路(HS)，用于通过把一个信号施加到上部晶体管(T1)的控制端而驱动该上部晶体管(T2);以及下部晶体管控制电路(110)，用于通过把一个半桥驱动器

半桥电路信号施加到下部晶体管(T1)的控制端而驱动下部晶体管(T1)，该下部晶体管控制电路 (110)包括:第三晶体管(T3)，其具有一漏极被连接到输出端(120)，以及其具有一源极被连接到二极管(D1)的阳极，该二极管(D1)的阴极被连接到下部晶体管(T1)的控制端;以及第四晶体管(T4)，其具有一漏极被连接到下部晶体管(T1)的控制端，以及其具有一源极被连接到用于施加低直流电压的轨(140)。半桥驱动器

输出配置半桥（2）应用DC 电机，通用，步进电机接口PWM负载类型电感技术NMOS导通电阻（典型值）565 毫欧 LS + HS电流 - 输出/通道-电流 - 峰值输出3.6A电压 - 电源0 V ~ 5.5 V电压 - 负载6.5 V ~ 45 V工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）特性-故障保护限流，超温，UVLO安装类型表面贴装封装/外壳8-PowerSOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装8-SO PowerPad半桥驱动器

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