vg由光源(激光器或发光二极管)及其驱动电路(有时也加监控或其它电路)组成的具有光发射功能的混合集成模块或单片集成组件。光纤 - 发射器 - 离散式

由光源(激光器或发光二极管)及其驱动电路(有时也加监控或其它电路)组成的具有光发射功能的混合集成模块或单片集成组件。驱动电路必须提供足够的电流，因此要求搭配大电流的电器件。光发射器制作的关键问题是降低激光器的阈值电流。GaAs系量子阱(QW)激光器阈值电流为毫安量级，GaAs MESFET(金属一肖特基势垒场效应管)可提供符合要求的驱动电流，已有GaAs系光发射器集成。光纤 - 发射器 - 离散式 但适合1.3μm，1.5μm波长光纤通信发送电路用的InP系激光器(不论是异质结构还是量子阱结构)，阈值电流还较高，达十几毫安，只制成了混合集成系列光发射器模块。单片集成的电器件很不成熟，工艺难度很大。对MISFET(金属-绝缘体-半导体场效应管)、JFET(结型场效应管)或异质结双极晶体管(HBT)进行了实验。将它们和激光器集成在InP基片上的工艺兼容性还有许多问题尚待解决。光纤 - 发射器 - 离散式

此外，研究多的是发射波长为1.55μm的带稳频的波长可调谐的分布反馈激光器列阵，它是频分复用及相干光通信系统迫切需要的光发射器集成组件。光纤 - 发射器 - 离散式

适宜制作各种短波长和长波长激光器的GaAs和InP材料,同时又是制作微波晶体管等高速电子线路以及雪崩光电二极管(APD)等高速光电探测器的良好材料。OEIc继承了GaAs和IoP集成电路的高速性和光电器件的功能性,因而具有更强的功能和突出的优越性。由于在Ga人s衬底上已经得到了性能优良的结型探测器、激光器(LD)和场效品体管F(ET),并且制作工艺也较成熟。1978年Ya:vi实验室率先在GaAs衬底上实现了GaAIAs激光器和一个耿氏(Gu,In)器件的集成。此后许多实验室相继做出了各种结构的OEIC,文实现了LD/F(ET)的集成，得到了光电探测器与FET的集成和中继器的单片集成。OEIC具有许多优越性。它不仅由于集成了光电的多功能性，而且降低了寄生电容和寄生电感而极大地提高了速度,降低了噪声。另外,多元件的单片集成减少了系统结构所需要的元件数目,而且有更好的密集性和高度的可靠性,同时也减小了功耗。自1969年Millc:等191提出"集成光学"的概念以来,主要沿着两个方向发展,一个方向是OEIC。另一个方向是集成光路(OIC)它是在一块固体基片上,把光学元、器件集成一体,使之成为具有某种功能的光回路。l[前主要是在具有强光电效应的LINbO3(泥酸锉),错体上集成。但期望的是在G。A、和nIP衬底上制做光学元、器件,从而制作具有更强功能的OEIC。

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