FS450R17KE3/AGDR-71C
AB
美国
IGBT模块
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AB原装IGBT模块FS450R17KE3/AGDR-71C
FS225R12KE3/AGDR-61C、FS225R12KE3/AGDR-62C、FS225R12KE3/AGDR-72C、FS225R17KE3/AGDR-71C、FS300R12KE3/AGDR-61C、FS300R12KE3/AGDR-71C、FS300R12KE3/AGDR-62C、FS300R12KE3/AGDR-72C、FS450R12KE3/AGDR-61C、FS450R12KE3/AGDR-62C、FS450R12KE3/AGDR-71C、FS450R12KE3/AGDR-72C、
FS450R17KE3/AGDR-71C
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。
IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。
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