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场效应管 N沟道 电压30V 电流1.1A NDS351N

  • 型号/规格:

    NDS351N

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(飞兆)

  • 封装形式:

    SOT23-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

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  • 企业名:日新电子国际有限公司

    类型:生产企业

    电话: 0755-83525113

    手机:15986655004

    联系人:郭泽斌

    QQ: QQ:2851286825

    邮箱:rxdzic@163.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华强广场B座15楼H

商品信息

制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 1.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Fairchild Semiconductor
配置: Single
下降时间: 16 ns
高度: 0.94 mm
长度: 2.92 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 500 mW
产品: MOSFET Small Signal
上升时间: 16 ns
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
宽度: 1.4 mm
单位重量: 30 mg








  

NDS351NNDS351NNDS351NNDS351N

联系方式

企业名:日新电子国际有限公司

类型:生产企业

电话: 0755-83525113

手机:15986655004

联系人:郭泽斌

QQ: QQ:2851286825

邮箱:rxdzic@163.com

地址:广东深圳深圳市福田区华强广场B座15楼H

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