NiCr合金敏感材料可以根据传感器的应用环境或要求不同进行组分改进。如要求电阻温度系数非常小，可以添加适当元素以降低高温或低温温度漂移，确保温度稳定性。我们改性的NiCr敏感材料，其电阻温度系数可小于0.0002%，使用该敏感材料制造薄膜压力传感器，其150℃高温零点温度系数不作任何补偿经，其检定结果为0.0002%FS/℃。这是其它类型压力传感器无法做到的。

等效电路

  压力传感器中多晶硅也有广泛的用途，例如可用座微结构（梁、桥）和填充材料。更重要的是用作力敏材料。多晶硅电阻器是制备在绝缘衬底（如SiO2、Si3N4、蓝宝石膜）上的，与一般用p-n结隔离的扩散电阻不同。

  它没有反向漏电、从而使传感器用于较高的温度下。它的电阻温度系数取决于掺杂浓度，可控制为正的或负的。容易实现热零点漂移的温度补偿。而且多晶硅容易制作，电阻值容易用激光修正。所以多晶硅在压力传感器中的应用比较多。

  多晶硅在集成电路制造中是一个重要的材料。早MOS电路中多晶硅广泛用作材料。在双极性电路中用掺杂多晶硅作基区的自对准抱合接触，提供了良好的欧姆接触，使基区/发射区面积比从5~10降低到2，从而节省了器件的面积。鬼片背面的多晶硅膜有明显的吸除重金属作用。

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E1BD	E2NS	E2ND	E2NJ
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