制造商: Microchip

产品种类: 电可擦除可编程只读存储器

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

存储容量: 4 kbit

组织: 512 x 8

接口类型: Serial, 2-Wire, I2C

访问时间: 900 ns

数据保留: 200 Year

时钟频率: 400 kHz

电源电流—值: 5 mA

电源电压-: 2.5 V

电源电压-: 5.5 V

工作温度: - 40 C

工作温度: + 85 C

封装: Tube

高度: 1.25 mm (Min)  

长度: 4.9 mm  

宽度: 3.9 mm  

商标: Microchip Technology  

工作电源电流: 3 mA  

工作电源电压: 2.5 V to 5.5 V  

产品类型: EEPROM  

编程电压: 2.5 V to 5.5 V  

工厂包装数量: 100  

子类别: Memory & Data Storage  

单位重量: 540 mg

可擦除可编程只读存储器(erasable programmable read-only memory) 按用户要求对存储矩阵编程或擦除的只读存储器，简称EPROM。

EPROM的总体结构、工作原理和使用方法都与掩膜ROM相同(见只读存储器)。区别是EPROM存储矩阵的每个交叉点上均接有叠栅注入MOS管作为存储单元。

图示出叠栅注入MOS管的结构。在浮置栅Gf没有充电时，加到控制栅Gc上的正常逻辑高电平能使MOS管导通;在浮置栅上充有负电荷以后，在控制栅上加正常的逻辑高电平，MOS管不导通，相当于没有接入这个存储元件。编程时在漏极与源极间加以高电压，使之产生雪崩击穿，同时在控制栅上加高压脉冲，则一些能量较大的电子便穿过SiO2层到达浮置栅，形成充电电荷。

图1

图1

需要擦除时可将EPROM表面的透明窗口置于一定强度的紫外线灯下照射，经15-20分钟后浮置栅上的电荷即可泄漏掉。平时应将透明窗口密闭遮光，以保证浮置栅上的电荷长期保存。这种用紫外线擦除的EPROM也叫UVEPROM。

另外，有一种用电压信号擦除的EPROM，也叫做EEPROM(或EPROM)。它的存储单元中也利用了叠栅MOS管，擦除时需要在控制栅上施加反向的高压脉冲。

由于EPROM中的数据可以修改，因而特别适于制作需要修改其中数据的只读存储器。

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