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SDRAM IS43DR16640C-25DBLI-TR ISSI 原装正品

SDRAM   IS43DR16640C-25DBLI-TR  ISSI 原装正品
SDRAM   IS43DR16640C-25DBLI-TR  ISSI 原装正品
  • 型号:

    IS43DR16640C-25DBLI

  • 品牌:

    ISSI

  • 封装:

    BGA84

  • 批号:

    19+

  • 数量:

    1200

发布询价信息

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  • 企业名:蓝界科技(深圳)有限公司

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产品分类
商品信息

制造商: ISSI 
产品种类: 动态随机存取存储器 
RoHS:  详细信息  
类型: SDRAM - DDR2 
封装 / 箱体: BGA-84 
系列: IS43DR16640C 
封装: Reel 
商标: ISSI  
湿度敏感性: Yes  
产品类型: DRAM  
工厂包装数量: 2500  
子类别: Memory & Data Storage  

单位重量: 198 mg


一、影响性能的主要时序参数


所谓的影响性能是并不是指SDRAM的带宽,频率与位宽固定后,带宽也就不可更改了。但这是理想的情况,在内存的工作周期内,不可能总处于数据传输的状态,因为要有命令、寻址等必要的过程。但这些操作占用的时间越短,内存工作的效率越高,性能也就越好。


非数据传输时间的主要组成部分就是各种延迟与潜伏期。通过上文的讲述,大家应该很明显看出有三个参数对内存的性能影响至关重要,它们是tRCD、CL和tRP。每条正规的内存模组都会在标识上注明这三个参数值,可见它们对性能的敏感性。


以内存最主要的操作--读取为例。tRCD决定了行寻址(有效)至列寻址(读/写命令)之间的间隔,CL决定了列寻址到数据进行真正被读取所花费的时间,tRP则决定了相同L-Bank中不同工作行转换的速度。现在可以想象一下读取时可能遇到的几种情况(分析写入操作时不用考虑CL即可):


1.要寻址的行与L-Bank是空闲的。也就是说该L-Bank的所有行是关闭的,此时可直接发送行有效命令,数据读取前的总耗时为tRCD+CL,这种情况我们称之为页命中(PH,Page Hit)。


2.要寻址的行正好是前一个操作的工作行,也就是说要寻址的行已经处于选通有效状态,此时可直接发送列寻址命令,数据读取前的总耗时仅为CL,这就是所谓的背靠背(Back to Back)寻址,我们称之为页快速命中(PFH,Page Fast Hit)或页直接命中(PDH,Page Direct Hit)。


3.要寻址的行所在的L-Bank中已经有一个行处于活动状态(未关闭),这种现象就被称作寻址冲突,此时就必须要进行预充电来关闭工作行,再对新行发送行有效命令。结果,总耗时就是tRP+tRCD+CL,这种情况我们称之为页错失(PM,Page Miss)。


显然,PFH是最理想的寻址情况,PM则是最糟糕的寻址情况。上述三种情况发生的机率各自简称为PHR--PH Rate、PFHR--PFH Rate、PMR--PM Rate。因此,系统设计人员(包括内存与北桥芯片)都尽量想提高PHR与PFHR,同时减少PMR,以达到提高内存工作效率的目的。


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