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K4E6E304EB-EGCF K4E6E304EB 三星内存 16G DDR3

K4E6E304EB-EGCF K4E6E304EB 三星内存 16G DDR3
K4E6E304EB-EGCF K4E6E304EB 三星内存 16G DDR3
  • 系列：

    A

  • 品牌：

    Samsung/三星

  • 型号：

    K4E6E304EB-EGCF

  • 类型：

    存储器

  • 存储容量：

    16G

  • 功率：

    低功率

  • 针脚数：

    178

  • 用途：

    电脑

  • 封装：

    178FBGA

  • 特色服务：

    无

  • 应用领域：

    智能家居

  • 产品说明：

    芯片

发布询价信息
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金牌会员 第 12 年

  • 企业名：斯耐尔（深圳）科技有限责任公司

    类型：贸易/代理/分销

    电话： 18681503129

    手机：18681503129

    联系人：李昱

    QQ： QQ:314081785

    邮箱：szsnares@163.com

    地址：广东深圳深圳市福田区华富路1046号华康大厦2栋408

产品分类
新品上架
商品信息

 

 

容量架构速率工作电压工作温度封装产品状态

16 Gbx32
2133 Mbps1.8 / 1.2 / 1.2 V
-25 ~ 85 °C178FBGA
样品

 

 

拓宽移动设备的应用领域

三星 LPDDR3 的高性能、超快速度和高能效已得到公认，它支持各种移动解决方案，从智能手机到物联网和可穿戴设备，不一而足。

 

专为多任务
处理而设计，
采用小型封装

- 存储器密度更大，高达 6GB
- 紧凑型封装

先进的 三星 LPDDR3 已在世界范围内被广泛采用，它的密度得到进一步提高，并具备高性能的多任务处理功能。

三星半导体 DRAM LPDDR3，小型封装，高达 6GB

非常先进，
操作速度较快

- 实现高达 1,866 Mbps 的速度

三星 LPDDR3 的性能在 LPDDR2 的基础上提升了 20%*，可提供更快的速度，从而为移动功能和应用提供更好的支持。

*使用 LPDDR3 和 LPDDR2 进行内部测试

三星半导体 DRAM LPDDR3，性能提高 20%

高能效智能存储器

- 可延长电池寿命

始终开启和始终连接的运行方式要求具备高效性能。三星 的 LPDDR3 是一款卓越的产品，可延长电池寿命，而且功耗比上一代降低了 10%*。

*使用 LPDDR3 和 LPDDR2 进行内部测试

三星半导体 DRAM LPDDR3，能耗降低 10%

* LPDDR3 - 三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器          * LPDDR2 - 二代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器

 

联系方式

企业名：斯耐尔（深圳）科技有限责任公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 18681503129

手机：18681503129

联系人：李昱

QQ： QQ:314081785

邮箱：szsnares@163.com

地址：广东深圳深圳市福田区华富路1046号华康大厦2栋408

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