陶瓷电容基本参数

4.1.一类瓷：也叫做温度补偿型（Temperature Compensating T*e），是专门设计并用在低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中的一种电容器，例如，在电路中作温度补偿之用。该类陶瓷介质是由标称温度系数（α）来确定。其温度系数有：NP0、N150、N220、N470、N750、SL等。

4.2.二类瓷：也叫做高介电常数型（High Dielectric Constant T*e），是适用于作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征。其温度特性有：Y5P、X7R、Z5U、Y5V等。

4.3.三类瓷：也叫做半导体型（Semiconductor T*e），是一种具有半导体特征的陶瓷电容器。该类电容器适用于作旁路和耦合之用。该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征。其温度特性有：Y5P、Y5R、Y5U、Y5V等。

4.4.电容量（Nominal Capacitance，简写为Cap.或C或C_R）：是指电容器设计所确定的和通常在电容器上所标出的电容量值；其单位为法拉(Farad，简写F)，由于F太大，故常用微法(UF)、微微法拉(PF)，其等式为：

1UF=10³NF=10⁶PF=10^-6F

4.5.容量误差（Tolerance，简写成Tol.）：是指在设计与制造过程时，允许电容器的容量在标称容量的某一些范围内。在国际上，圆板陶瓷电容器常用的几种误差值如下：

C_R＜10pF：&plu*n;0.25PF；&plu*n;0.5PF。

C_R≥10pF：&plu*n;5%；&plu*n;10%；&plu*n;20%与 80/-20%。

4.6.额定电压（Rated Voltage，简写成R.V.或U_R）：也称之为工作电压(Working Voltage)，是指在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下，可以连续施加在电容器上的*大直流电压或*大交流电压*值或脉冲电压的峰值。

本承认书所讲述之电压均为直流电压，除非有*注明。

贵公司若在使用或测试中有应用到交流电压时，请事先通知我公司业务部或品管部。

4.7.耐电压：也叫试验电压（Test Voltage，简写成T.V.），它是以额定电压的几倍，加压多少时间来表示供试验电容的耐电压的高低。

4.8.损耗角正切：也叫做散逸因素（Dissipation Factor，简写成D.F.或tanδ，简称损耗）；是指在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率。损耗的倒数称之为品质因素，即Q值(英文名为Q Value，简写为Q)

4.9.温度特性（Temperature Characteristic，简写成T.C.）：是指在规定温度范围内，所出现的电容量*大可逆变化，一般此变化表示为相对25℃时电容量的百分比。

电容量的温度系数英文为Temperature Coefficient of Capacitance；是指在规定的温度范围内测量的电容量随温度的变化率，通常用10^-6/℃或ppm/℃来表示。

电容量温度循环漂移英文为Temperature Cyclic Drift of Capacitance；是指在规定的温度循环次数完成期间或结束之后，在室温下所观测到的电容量的*大不可逆变化，这种不可逆变化通常是用与基准温度有关的电容量的百分比，基准温度通常是25℃。

4.10.类别温度范围：是指电容器在设计时所确定的能连续工作的环境温度范围，这里规定上限类别温度和下限类别温度，如下表：

2. 试验和测量环境要求

5.1.试验状态

                            5.1.1.试验状态定义：

a>        标准状态：是指温度15～35℃、相对温度45～85%、气压860～1060mbar。

b>        判定状态：是指温度25&plu*n;2℃，相对湿度60～70%，气压860～1060mbar。

c>        基准状态：是指温度25℃，相对湿度65%，气压1013mbar。

                            5.1.2.试验及测定环境要求：

无*规定时，在标准状态或判定状态下进行试验及测定。但如对标准状态或判定状态之测定值，一旦判定有疑问或在被*要求之情形下，则*须在基准状态下进行。

在基准状态测定或试验有困难时，或在不产生判定疑问之前提下，在基准状态以外的状态下做试验与测定亦可。

                            5.1.3.注意事项：

a>        在试验及测定时，可以在以上三种状态规定的任一种温度下测量，相对湿度与气压均可为常湿(45～85%)与常压(860～1060mbar)；但若对试验与测定值有*要求时则*须在基测状态指定的温度下进行。

b>        在整个试验过程的前后，对于供试验电容器的测定有影响之日光或其它热源幅射等因素，均要避免之。

c>        在整个试验及测定过程中，为使试验结果不致发生疑问，有*须时，应对供试验电容器置于测量温度内30分钟以上，并使之充分放电。

瓷片电容

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