陶瓷电容基本知识
4.1.一类瓷：也叫做温度补偿型（Temperature Compensating T*e），是专门设计并用在低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中的一种电容器，例如，在电路中作温度补偿之用。该类陶瓷介质是由标称温度系数（α）来确定。其温度系数有：NP0、N150、N220、N470、N750、SL等。
4.2.二类瓷：也叫做高介电常数型（High Dielectric Constant T*e），是适用于作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征。其温度特性有：Y5P、X7R、Z5U、Y5V等。
4.3.三类瓷：也叫做半导体型（Semiconductor T*e），是一种具有半导体特征的陶瓷电容器。该类电容器适用于作旁路和耦合之用。该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征。其温度特性有：Y5P、Y5R、Y5U、Y5V等。
4.4.电容量（Nominal Capacitance，简写为Cap.或C或CR）：是指电容器设计所确定的和通常在电容器上所标出的电容量值；其单位为法拉(Farad，简写F)，由于F太大，故常用微法(UF)、微微法拉(PF)，其等式为：
1UF=103NF=106PF=10-6F
4.5.容量误差（Tolerance，简写成Tol.）：是指在设计与制造过程时，允许电容器的容量在标称容量的某一些范围内。在国际上，圆板陶瓷电容器常用的几种误差值如下：
CR＜10pF：&plu*n;0.25PF；&plu*n;0.5PF。
CR≥10pF：&plu*n;5%；&plu*n;10%；&plu*n;20%与 80/-20%。
4.6.额定电压（Rated Voltage，简写成R.V.或UR）：也称之为工作电压(Working Voltage)，是指在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下，可以连续施加在电容器上的*大直流电压或*大交流电压*值或脉冲电压的峰值。
本承认书所讲述之电压均为直流电压，除非有*注明。
贵公司若在使用或测试中有应用到交流电压时，请事先通知我公司业务部或品管部。
4.7.耐电压：也叫试验电压（Test Voltage，简写成T.V.），它是以额定电压的几倍，加压多少时间来表示供试验电容的耐电压的高低。
4.8.损耗角正切：也叫做散逸因素（Dissipation Factor，简写成D.F.或tanδ，简称损耗）；是指在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率。损耗的倒数称之为品质因素，即Q值(英文名为Q Value，简写为Q)
4.9.温度特性（Temperature Characteristic，简写成T.C.）：是指在规定温度范围内，所出现的电容量*大可逆变化，一般此变化表示为相对25℃时电容量的百分比。
电容量的温度系数英文为Temperature Coefficient of Capacitance；是指在规定的温度范围内测量的电容量随温度的变化率，通常用10-6/℃或ppm/℃来表示。
电容量温度循环漂移英文为Temperature Cyclic Drift of Capacitance；是指在规定的温度循环次数完成期间或结束之后，在室温下所观测到的电容量的*大不可逆变化，这种不可逆变化通常是用与基准温度有关的电容量的百分比，基准温度通常是25℃。
4.10.类别温度范围：是指电容器在设计时所确定的能连续工作的环境温度范围，这里规定上限类别温度和下限类别温度，如下表：
类别 | 一类瓷 | 二、三类瓷 |
下限类别温度 | -25℃ | X：-55℃；Y：-25℃；Z： 10℃ （X、Y及Z均为各温度特性前*码） |
上限类别温度 | 85℃ | 5： 85℃；7： 125℃ （5和7为各温度特性前第二码） |
