产品种类:

MOSFET

制造商:

STMicroelectronics

技术:

Si

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-220-3

通道数量:

1 Channel

晶体管极性:

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:

1200 V

Id-连续漏极电流:

6 A

Rds On-漏源导通电阻:

2.4 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:

30 V

Qg-栅极电荷:

34 nC

工作温度:

- 55 C

工作温度:

+ 150 C

封装:

Tube

通道模式:

Enhancement

商标:

STMicroelectronics

配置:

Single

下降时间:

32 ns

Pd-功率耗散:

150 W

上升时间:

12 ns

系列:

N-channel MDmesh

工厂包装数量:

1000

晶体管类型:

1 N-Channel

典型关闭延迟时间:

58 ns

典型接通延迟时间:

30 ns

单位重量:

330 mg